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关于 fet 的百科小常识
FET:场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件 有3个极性 栅极 漏极 源极 它的特点是栅极的内阻极高 采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧 属于电压控制型器件
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1.概念:
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电 也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点 现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高 因此耦合电容可以容量较小 不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
2.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型 结型场效应管均为耗尽型 绝缘栅型场效应管既有耗尽型的 也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管 而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :
3.场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中 使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力 即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时 场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数 加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM — 最大耗散功率 也是一项极限参数 是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时 场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数 是指场效应管正常工作时 漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
4.结型场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档 用万用表的负极任意接一电极 另一只表笔依次去接触其余的两个极 测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等 则负表笔所接触的为栅极 另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换 若两次测出的电阻都很大 则为N沟道;若两次测得的阻值都很小 则为P沟道.
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结 因此根据PN结正、反向电阻存在差异 可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻 其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻 此时黑表笔的是S极 红表笔接D极.
5.常效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件 而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下 应选用场效应管;而在信号电压较低 又允许从信号源取较多电流的条件下 应选用晶体管.
场效应管是利用多数载流子导电 所以称之为单极型器件 而晶体管是即有多数载流子 也利用少数载流子导电 被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用 栅压也可正可负 灵活性比晶体管好.
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作 而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上 因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
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